英伟达-射频工程师-笔试经验

以下内容来自于应聘者回忆整理

很多同学都想得到英伟达的实习或者校招机会。那从过来人的角度谈谈，要通过英伟达的实习、校招面试，都有哪些经验和注意事项呢？今天就跟大家分享一下。

1、为什么 ideal vertical antenna 不能接受 ideal horizontal antenna 发射的信号。

2、为什么高速传输系统中特性阻抗都是 50 或者 75ohm。

对于宽度确定的走线，3 个主要的因素会影响 PCB 走线的阻抗。首先，是 PCB 走线近区场的 EMI（电磁干扰）和这个走线距参考平面的高度是成一定的比例关系的，高度越低意味着辐射越小。其次，串扰会随走线高度有显著的变化，把高度减少一半，串扰会减少到近四分之一。最后，高度越低阻抗越小，不易受电容性负载影响。所有的三个因素都会让设计者把走线尽量靠近参考平面。阻止你把走线高度降到零的原因是，大多数芯片驱动不了阻抗小于 50 欧姆的传输线。（这个规则的特例是可以驱动 27 欧姆的Rambus，以及 National 的的 BTL 系列，它可以驱动 17 欧姆）并不是所有的情况都是用50欧姆最好。例如，8080 处理器的很老的 NMOS 结构，工作在 100KHz，没有 EMI，串扰和电容性负载的问题，它也不能驱动 50 欧姆。对于这个处理器来说，高的阻抗意味着低功耗，你要尽可能的用细的，高的这样有高阻抗的线。纯机械的角度也要考虑到。例如，从密度上讲，多层板层间距离很小，70 欧姆阻抗所需要的线宽工艺很难做到。这种情况，你应该用 50 欧姆，它的线宽更加宽，更易于制造。

同轴电缆的阻抗又是怎么样的呢？在 RF 领域，和 PCB 中考虑的问题不一样，但是RF 工业中同轴电缆也有类似的阻抗范围。根据 IEC 的出版物（1967年），75 欧姆是一个常见的同轴电缆（注：空气作为绝缘层）阻抗标准，因为你可以和一些常见的天线配置相匹配。它也定义了一种基于固态聚乙烯的 50 欧姆电缆，因为对于直径固定的外部屏蔽层和介电常数固定为 2.2（固态聚乙烯的介电常数）的时候，50 欧姆阻抗趋肤效应损耗最小。

3、50ohm 传输线输入 73ohm 的半波，给了一个天线公式，算增益。

4、dBi 和 dBd 是什么，什么关系，反射系数怎么定义的，VSWR 和反射系数关系，return loss 和反射系数关系。

dBi，谈到天线，总避不开“增益”这个词，其实这也是一个比率，是用输出的功率比输入的功率，如果大于1就是正的dB值，也就是放大了；如果小于1就是负的dB值，也就是说衰减了或者说是损耗了。通常所说的天线发射或接收信号的能力是用参照全向天线的分贝数来表示的，比如说天线增益有10dBi(10lg(10))不是说这副天线能把信号的功率放大10倍，而是通过控制信号发射的角度，将功率集中到一定的方向上。→ 在输入功率相等的情况下，天线增益是指实际天线和全向天线在空间同一点处的功率密度之比，描述的是天线将功率集中辐射的程度，因此与天线方向图密切相关。一般来说天线方向图主瓣越窄、副瓣越小，则增益越高。→ 天线增益通常是指产生最大增益方向上的增益，单位为dBi或者dBd。这二个单位的参考基准不同，前者是以全方向性天线为基准，后者是以偶极子天线为基准。

关系：（1）dBi和dBd是功率增益的单位，两者都是相对值，但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线；dBd的参考基准为偶极子。一般认为dBi和dBd表示同一个增益，用dBi表示的值比用dBd表示的要大2.15 dB。（2）dB也是功率增益的单位，表示一个相对值。当计算A的功率相比于B大或小多少个dB时，可按公式10 lg A/B计算。（3）dBm是一个表示功率绝对值的单位，计算公式为：10lg功率值/1mW。（4）dBc也是一个表示功率相对值的单位，与dB的计算方法完全一样。一般来说，dBc相对于载波(Carrier)功率而言。在许多情况下，用来度量载波功率的相对值，如度量干扰（同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等）以及耦合、杂散等的相对量值。

5、单极天线体积怎么变小。

6、同轴缆接变压器接平衡天线可转变为同轴缆接微带线接天线，问为什么同轴缆末端和天线的距离是四分之一波长。

当天线的尺寸为四分之一信号波长时，天线相对应电磁波能产生很大的阻抗，这时感应出的电磁波电压信号能很方便的传入仪器仪表或者其他设备中，其次是这种长度的情况下，天下好像还没有反射波（挤不太清楚了），接受的信号最强。

7、算天线 lobe width。是一个 vertical 的天线，给了 0dB，-1dB，-2dB 和-3dB 的角度。